中国本周传出已开始生产自主研发的浸没式深紫外光刻机，预计今年内交付约5台这类晶片制造关键设备。受访学者评估，若消息属实，意味着美国对华科技战持续数年的“小院高墙”策略宣告失效，中国应对美国以晶片和光刻机掐脖子取得里程碑式突破，但在设备质量追赶行业龙头可能有待数年。
据悉，创立3年的上海爱晟纳电子科技集团，在整合来自中国顶尖光刻初创公司的团队后，正领导生产工作。
美国科技媒体《信息报》（The Information）周一引述两名消息人士披露，位于上海的一家国资企业开始生产深紫外光刻机（Deep Ultraviolet Lithography，简称DUV），并已从光刻初创公司上海宇量昇科技等其他中国企业抽调人员，组建研发团队，计划今年生产约5台DUV，明年目标约20台，预计今年内交付中芯国际、华虹半导体和长鑫存储。这三家中国主要晶片制造商，目前受到不同程度的美国制裁与出口管制限制。
因荷兰晶片设备制造巨头阿斯麦（ASML）被禁止对华出口最先进的极紫外光刻机（Extreme Ultraviolet Lithography，简称EUV），浸没式DUV成为中国晶片制造商目前能使用的最先进光刻设备，用于在硅晶圆上印制电路图形。报道称，中国也正在研发国产EUV，但目前仍处于原型机阶段。
消息人士称，爱晟纳的DUV光刻机预计还需进一步测试，与阿斯麦机型相比还有很大差距，不会直接构成商业威胁。但投资者仍担忧这将对这家荷兰巨头在华市场地位构成挑战，导致阿斯麦股价周一跌至6月初以来最低水平，一度重挫8.3%。
摩根大通分析师周二在报告中指出，生产少量DUV工具，与大批量生产不同，“在大批量生产中，良率、套刻精度、吞吐量和数千片晶圆运行的可靠性才是关键”。